高温氨化合成GaN微晶

分别利用Ga2O3粉末和Ga2O3凝胶作为Ga源,采用NH3为N源,在950℃下,分别将两种反应物与流动的NH3反应20 min合成了GaN微晶。用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、选择区电子衍射(SAED)对微晶进行结构、形貌的分析,特别是对两种不同途径合成GaN微晶的XRD进行了分析比较。结果表明,当Ga源温度为950℃时两种不同的合成途径均可得到六方纤锌矿结构的GaN单晶颗粒,在氮化温度为850℃和900℃时,利用Ga2O3粉末作为Ga源,仅有少量的Ga2O3转变为GaN;而采用Ga2O3凝胶作为Ga源,在相同的温度下,大部分凝胶经过高温氨化反应均可转化为GaN。     

用于有源电力滤波器的IGBT驱动及保护研究

介绍有源电力滤波器设计中EXB841型绝缘栅场效应晶体管(IGBT)驱动器的驱动原理和电路特点,对IGBT的栅极驱动特性、栅极串联电阻进行了探讨,给出过流保护和过压吸收的有效办法。样机试运行证明此种设计方案可靠、有效。     

主动雷达终端实时仿真软件的设计与实现

在主动雷达数据回放显示的基础上,通过使用D irectDraw和Intel IPP技术,设计了主动雷达终端实时仿真软件,包括信号处理、数据处理及终端显示等模块,极大地提高了软件的执行效率,使得整个仿真过程具有良好的实时性。本文介绍了该软件的设计及实现。     

凝视型探测器模型和输出电子数的算法

根据光电理论和探测器的工作原理，推导出了一种电荷耦合器件(CCD)摄像机面阵探测器调制传递函数，得到了一定入射条件下光敏元的输出电子数目。     

不同表面预处理对有机电致发光显示器性能的影响

从生产角度研究了基板表面的预处理工艺对OLED性能的影响,分别用UVOzone、氧Plasma以及两者相结合的方式对基板进行表面处理,并按照生产工艺制作器件,从接触角、方阻以及光电特性等测试结果对各种表面处理的样品进行比较。结果表明以上处理都改善了器件性能,不同程度提高了器件的清洁度、亮度和发光效率,其中UVOzone和氧Plasma结合的方式处理效果最为显著,器件在10V时亮度达到79920cd/m2,比其他两种处理方式亮度提高约25%。     

分布式光纤拉曼放大器的增益平坦设计

介绍了在波分复用（WDM）系统中分布式光纤拉曼放大器（FRA）的理论分析模型。在此基础上，对增益平坦设计所需考虑的因素进行了分析；最后通过试验证明了它的有效性。     

基于开关电流技术的连续小波变换的实现方法

开关电流技术是一种新的模拟抽样数据处理技术。开关电流电路具有一般电路不具有的优点，与标准数字CMOS工艺兼容。连续小波变换是分析非平稳信号的有力工具，在信号处理上有广泛的应用。本文提出用开关电流技术实现连续小波变换的方法，并用Matlab仿真证明了其理论可行性。     

土壤冲击特性的实验研究

本文利用分离式Hopkinson压杆研究了土体在不同应变率条件下的冲击动态力学性能，发现土体有明显的应变率效应，与静载相比，冲击荷载下土的动强度和动模量均有很大的提高。     

用两次键合技术制备均匀单晶硅膜

硅直接键合(SDB)技术用于制备SOI片(BESOI)是键合技术的最重要应用之一,研究了制备BESOI片中的键合和减薄问题,获得了大面积的均匀单晶硅膜,通过实验分析了这种方法获得的薄膜的平整度和影响因素。并针对压力传感器的敏感膜,通过两次键合及SOI自停止腐蚀成功制备了厚度可控的均匀单晶硅薄膜,硅膜表面质量优良,平整度在±0.15μm的范围内。     

抽油机井泵系统效率与排量系数的关系研究

根据泵系统效率和排量系数的定义，导出了泵系统效率和排量系数之间的数学关系式。通过理论分析确定了影响泵系统效率和排量系数关系的主要因素，并对不同抽汲参数和生产气油比条件下的泵系统效率和排量系数进行了数值计算，分别绘制了泵系统效率和排量系数与冲程、冲次及生产气油比的关系图，明晰了泵系统效率和排量系数的关系。